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　　這個問題本質上是問易失性存儲器（Volatile Memory）和非易失性存儲器之間原理上的區別。一般的說易失性存儲器的原理比較簡單，非易失性的原理則多種多樣。還好題主只問了Flash，我偷懶只答個Flash好了。易失性存儲器目前應用最廣的兩種是靜態（Static）和動態（Dynamic）隨機訪問存儲器（Random Access Memory），常用縮寫分別為SRAM和DRAM。容易看出DRAM的原理是所謂有損讀取：讀取的時候如果電容里面有電，是要消耗電容里面的電量的；如果電容里沒電，輸入端的殘余電荷也會注入電容。所以DRAM多讀幾次，深圳卡片U盤里面存的電量會趨于中間值，信息就不明確了。U盤工廠這時候就需要控制電路給電容定期刷新，把他拉回相應的高低電平上去。DRAM所謂“動態”，指的就是這個刷新的需要。